마요님에게 숙제
1) 입력 저항 20R/10W Heat sink 없이 5 ohm 10W 4 개 직열로 연결해서 손으로 만질수 있는지 Test
( 저항에서의 열이 Capacitor로 전달 않되도록 주의 10cm 정도의 가는선으로 연결)
2) MOSFET 제거하고 0.01uF short 해서 Ripple 출력 Scope 로 재고 Speaker 에서 Hum이 들리는지 Test
3) Hum 이 들리면 3개의 270uF 를 2배로 늘리고 위의 2) 항을 반복해 주십시요
몇가지 의문사항을 확인 하는 겁니다
Thermometer 찍어보니 70도가 나오는군요. --> 잠간 손댈수 있나요?
50K test 는?
한번 해보겠습니다.
저도 무척 궁금합니다.
그리고 뭔가 규칙적인 패턴으로 온도 변화가 있는 것 같습니다.
전원 On/Off Interval 이 짧지만 않다면, Gate에 저항을 살짝 넣어주면 Slow Start 동작이 되지 않을까 생각됩니다. 개량형을 구상하고 있는데, Digital Strage Ociloscope의 필요성을 실감하고 있습니다.
*** (NTC) 써미스터--> 2 가지 용도 보다는 순간 전력 흡수 전용입니다.
***Gate에 저항을 살짝 넣어주면 Slow Start --> Yes, Gate 전압이 서서히 증가하도록하면 출력도 같은 속도로 증가합니다
B 전원 Rectifier 기초지식
Capacitor 기초 지식
Capacitor 는 Energy - power 전력 - 을 저장합니다 --
아래 2개의 U-tube 에 가서 내용을 이해 해서 자기 것으로 만드십시요.-
기초 지식입니다 -- 배전압 회로의 2 개의 직열 연결된 Capacitor의 주 목적이 Energy 저장 입니다
https://www.bing.com/videos/search?q=Capacitor+Energy&&view=detail&mid=EBFFA4FB3AF45CA7F0A3EBFFA4FB3AF45CA7F0A3&&FORM=VDRVRV
https://www.bing.com/videos/search?q=Capacitor+Energy&&view=detail&mid=B795822A19FA2C5229F9B795822A19FA2C5229F9&FORM=VRDGAR
400v/250ma 100W 전원 설계
여기에 RC filter 1단 추가하고
더 Ripple 감쇄가 필요하면 MOSFET Active filter 를 달아줍니다
<3시간 이상 음악을 듣고있는데. 1번 저항 측정온도 120도 .2번 91도 ,3번 59도,4번 36도> --> 미 해결 문제
연결한 Capacitor 가 Heat sink로 동작 ?? 의심이 갑니다
R--R--R--R--Cap(heat sink)
120 91 59 36 36?
4개의 Resistor 실체 배선 사진 올려주십시요
저도 글을 올려놓고 이상하다 싶어. 저항 검사를 했습니다.
전에 (10옴10W)사용했든걸 재사용하여 열화가 심했습니다.
저항 치수가 제각각이였습니다.
그래서 아래 사진처럼 다시 측정하고있습니다.
B+ 전압을 십여초 지연하고 싶은데 어디에 R과 CAP 넣어주면 될까요?
50K 저항을 500K 이상으로 늘리면서 Capacitor 하고시정수를 조절하면 전압은 서서이 올라갑니다.
AC 입력전압을 따라가는 속도가 너무 느려지는 문제가 있습니다.
또다른문제는 -- 출력관 보호 한다고 B 전원을 나중에 켜줄려면 ---
10초동안 누군가가 Power 를 먹고 있어야합니다
MOSFET 가 수W -- 수 10W Power 를 10초 동안 흡입 -> MOSFET 죽이는 작업이 될수 있스니 요 주의!
제일 간단하고 누구나가 이해할수 있는 방법은 방열-Heater 진공관 정류 입니다.
반도체 정류하고 방열관 정류관을 직열로 삽입 하는 방법도 있습니다.
아무런 불만없이 진공관 시대 표준이 직열 진공관 정류였습니다 ( B 전압 지연에 신경 쓰지 않습니다)
수동으로 B전원 켜주는 방법도 많이들 씁니다.
B전압이 Filament/ Heater 하고 동시에 인가해도 Plate 전류는 Cathode 에서 열 전자가 방출 될때까기
흘르지 못합니다. Cathode 가 망가진다고 걱정? 옛날 진공관 초기에는 그런 문제가 있었겠지요 지금은 ???
초기 진공관 이면서 제일 값비싼 300B 도 대부분이 Plate 전압 동시에 공급합니다 --
우리가 많이쓰는 13GB5 또는 808 는 1000v 이상의 Plate 전압에 충분이 견디는 진공관입니다. 300V B전압을 걱정?
Plate 전류/전압 지연이 꼭 필요하면 grid 회로에서 답을 찾는 것을 추천합니다
<negative temperature coefficients (NTC) 써미스터.>
동작원리상 정상동작에서 자체온도가 상당히높습니다. 잠간은 만질수 있을 정도의 온도
Power 를 계속 먹여주는 저항입니다. 너무Power 를 많이 먹으면 주위 온도상승을 초래합니다.
뜨거워지면 자체 온도가 내려갈때까지 기다려야 제 구실을 합니다.
제구실을 잘 못해도 --
<결국 목표는 안전하고 안정적인, 리플이 거의 없는 전원을 만드는 것입니다. 열관리를 위해 저항을 사용하는 것과 네거티브 써미스터를 사용하는 것 어느 것이 더 잇점이 있을까요?>
아차피 저항에서 열이 많이 나는 surge 제어 방식입니다. EZ님 생각-- 더 잇점이 있슬 것도 같네요 --- Thanks
NTC 저항도 검토 대상 으로 합니다
다시 고처서 올립니다 --
내용을 잘 공부해 보십시요 -DC -> AC 로 응용- 설명이 부족해서 이해가 어려울수도 있습니다.
Capacity 의 충전/방전특성을 알면 power Supply 의 전류의 흘름을 추적할수 있습니다
power supply design
전원 설계 후 다이오드를 선정할 때 참고하는 Datasheet 입니다.
박사님의 설명과 비교하며 BridgeDiode를 선정해 보겠습니다.
Vr Peak Repetitive Reverse Voltage = 375V ---> 400V
I avr Average Rectified Output Current : 1A 이상 --- > 1.5A
I max : Peak forward Surge Current : 5A 이상 --> 40A
Vf : Forward voltage : 이것이 전류가 올라가며 좀 상승합니다. 1.1V@1.5A 이군요.
Ir 역 누설전류 : 온도가 올라갈 수록 올라갑니다. 작을 수록 좋겠지만 가격이. 5uA 125도 에선 0.5mA
열 저항계수가 18도/W : 방열판이 너무 큰 것이라 실제 얼마나 온도가 올라 갈지는 잘 감아 안옵니다.
아래는 좀 용량이 큰 다이오드입니다. 최대전류가 높고, 누설전류 편차가 적군요. 온도 상승 계수도 작은 편입니다. 가격은 두 배입니다.
Silicon Device Vf 는 낮은전류에서는 0.6V (signal 취급시) 를 사용하지만
Power supply 같이 전류가 Ampere 단위가 되면 접촉저항, Body resistance
등이 끼어들어서 Vf = 1.0-1.2V 가 보통입니다
Vf 를 내릴려면 낮은 전압에서는 Schottky diode 를 씁니다
