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Gate의 시정수 때문에 -> gate를 ground 한 Capacitor 때문에 가 더 적절한 표현입니다

 

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  • ?
    이지오디오 2017.09.27 21:27
    박사님께 감사드립니다. 전원 회로를 만드는 것이 앰프 만드는 것의 절반이었는데 박사님께서 명확한 해결책을 주셨습니다. 고맙습니다.
  • profile
    금동 2017.09.28 01:53

    자세한 설명 감사드립니다.  드레인이나 소스의 갑작스런 전압하강 상황 시에 gate 홀로  높은 전압이 유지되는  것을 방지하기 위하여  G-D 간에 Diode를 넣어 주는 것은 어떻까요?  

  • profile
    KDK 2017.09.28 09:58
    얼마나 큰 외부세력이 grid 에 걸리냐 에 따라서 효과가 있슬수도 있고 Grid 가 보호용 소자와같이 용접돼버리기도 합니다.
    보통 10-20v Zener diode 로 보호 하자만 보호용 Zener 만 죽고 Gate 는 살려야 하는데 제 Half bridge 회로 경험으로는
    정상동작에서는 IC 에서 Error signal 은 절대로 일어나지않도록 설계돼 있습니다.
    문제는 여기 Ripple 제거 회로 같이 Gate 전압이 자동으로 set 돼서 Ground 에서 Gate 파괴전압 (20v) 이상 떨어저서 동작 할때입니다.

    실험 삼아 1000uF x2 를 350v 로 충전해서 양단을 short 해 보십시요.
    이렇게 큰 Energy를 죽지 않고 흡수해낼 12v Zener 가 있슬가요?

    진공관은 순간 과전압/전류 현상에 잘 견디지만 반도체는 한방에 갑니다.
  • profile
    KDK 2017.09.28 13:48
    제가 MOSFET 부모 라면 본인은 안전하다고해도 진공관 애들이 노는곳에는 가지 말라고 말릴겁니다.

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